二维层状半导体材料重要的半导体备选材料。然而，目前的不同成核点成核、晶畴生长拼接方法会在晶畴之间形成晶界，而且不能保证半导体薄膜的覆盖率，无法制造大面积集成电路。
近日，北京大学物理学院、纳光电子前沿科学中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室叶堉研究员课题组，提出了一种利用相变和重结晶过程，制备晶圆尺寸单晶半导体相碲化钼(MoTe2)薄膜的新方法。
课题组以该薄膜为沟道材料，结合之前发展的大面积1T'/2H/1T'相面内异质结场效应晶体管阵列技术，制备出100%良率器件，并具有很好的电学性能，且其电学性能表现出很好的均一性。
该工作以“Seeded 2D epitaxy of large-area single-crystal filmsof the van der Waals semiconductor 2H MoTe2”为题，于2021年4月9日在线发表于学术期刊《科学》(Science)上。
北京大学物理学院叶堉研究员为文章通讯作者，博士后徐晓龙为文章的第一作者。北京大学高鹏研究员、陈基研究员、徐万劲高级工程师，山西大学韩拯教授为本项研究的主要合作者。这一工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然科学基金、人工微结构和介观物理国家重点实验室等支持。
